BPW 34 F 系列
OSRAM Opto Semiconductors GmbHOsram Opto 光电二极管各种形式
OSRAM Opto Semiconductors 的 BPW 34 F 系列光电二极管适用于各种光学传感应用。这些光电二极管具有不同的配置，使其在消费和工业环境中都非常灵活。如果您正在从事涉及光检测的任何项目，这些组件都值得考虑。值得注意的是，它们在广泛波长范围内表现出色。这些光电二极管常用于光通信等应用中，有助于检测入射信号。此外，在安全系统中，它们通过将红外光转换为电信号，在运动检测方面发挥着关键作用。当工程师需要紧凑且经济高效的光到电转换时，往往会选用这一系列。另一个实际应用是在条形码扫描器和其他读取设备中。由于其灵敏度高和快速响应时间，BPW 34 F 系列在此类应用中表现出色，特别适合快节奏的环境。它们还被应用于汽车应用中，特别是在夜视系统和自适应巡航控制中，准确的光检测至关重要。总体而言，BPW 34 F 系列在性能和成本之间提供了良好的平衡，使其成为许多工程师的首选。
无论您是在处理消费电子产品还是更专业的工业设备，这些光电二极管都能有效完成工作。
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常见问答
BPW 34 F - 型号列表
共 8 个型号| 制造商零件编号 | 库存 | 价格 | 产品类别 | 峰值波长 | 宽度 | 高度 | 长度 | 安装类型 | 极性 | 光谱范围 | 波长 | 视角 | 光学材料（应为封装材料） | 包装数量 | 触点数 | 感应角度 | 上升时间（典型） | 灵敏度（mV/g） | 下降时间 | 额定功率 | 响应度 @ nm | 暗电流（典型值） | 工作温度 | 冷却的封装 | 产品 | 零件号别名 | 工厂包装数量 | RoHS | 噪声 | LED正向电流 | 暗电流（最大） | 暗电流 Id（最大） | 栅极触发电压 Vgt (最大) | 安装样式 | 封装形式 | 灵敏度 | 主波长 | 材料（通用） | 引脚数 | 尺寸/外形 | 二极管类型 | 其他名称 | 标准包装数量 | 响应时间 | 直流反向电压（Vr）（最大） | 有效面积 | 抗辐射加固 | LED正向电压 | 击穿电压 | LED触发电流（最大） | 刀片材料 | 位数 | 类型 | 传播延迟 tpLH / tpHL（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 Photodiodes PHOTODIODE T/H Osram Opto 60 ° 红外 硅 光电二极管, 通孔安装, DIP 封装 OSRAM Opto Semiconductors | 6512 | 1: ¥7.616 | Photodiodes | 880 nm | 4mm | 2.2mm | 4.5mm | 通孔安装 | 反向 | 红外 | 880nm | 60 ° | Si | DIP | 2 | 60 deg | 20 ns | 0.65A/W | 20 ns | 150 mW | 0.65 A/W | 2 nA | + 100 C | - | PIN Photodiodes | Q62702P1129 | 1000 | RoHS Compliant | 3.9E-14 W/sqrt Hz | 100 mA | 30 nA | 50 uA | 16 V | Through Hole | DIL-2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
 Photodiodes PHOTODIODE SMT PHOTODIODE 880NM W/FILTER SMD Osram Opto BPW 34 FAS 60° Infrared Si Photodiode, Surface Mount DIP Package Osram Opto 60 ° 红外 硅 光电二极管, 表面安装, DIP 封装 OSRAM Opto Semiconductors | 41394 | 1: ¥6.12 | Photodiodes | 880 nm | 4mm | 1.2mm | 4.5mm | PCB Surface Mount | Reverse | 730nm ~ 1100nm | 880nm | 120° | Si | DIP | 2 | 60 deg | 20 ns | 0.65A/W | 20 ns | 150 mW | 0.65 A/W | 2 nA | + 100 C | DIP | PIN Photodiodes | Q65110A3121 | 1500 | RoHS Compliant | 3.9E-14 W/sqrt Hz | 100 mA | 30 nA | 50 uA | 16 V | SMD/SMT | DIL-SMT-2 | 0.65A/W | 730nm | Si | 2 | 4.5 x 4 x 1.2mm | PIN | Q65110A3121 | 1,500 | 20ns | 16V | 2.65mm x 2.65mm (7mm²) | - | - | - | - | - | - | - | - |
 Photodiodes PHOTODIODE T/H Osram Opto 60 ° 红外 硅 光电二极管, 通孔安装, DIP 封装 OSRAM Opto Semiconductors | 3400 | 1: ¥6.052 | Photodiodes | 950 nm | 4mm | 2.2mm | 4.5mm | 通孔安装 | 反向 | 红外 | 950nm | 60 ° | Si | DIP | 2 | 60 deg | 20 ns | 0.7A/W | 20 ns | 150 mW | 0.59 A/W | 2 nA | + 100 C | - | PIN Photodiodes | Q62702P0929 | 1000 | RoHS Compliant | 4.3E-14 W/sqrt Hz | 100 mA | 30 nA | 50 uA | 16 V | Through Hole | DIL-2 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
Osram Opto BPW 34 FAS R18R 60° Infrared Si Photodiode, Surface Mount DIP Package OSRAM Opto Semiconductors | 8677 | 5: ¥6.766 | - | 1100nm | 4mm | 1.2mm | 4.5mm | PCB Surface Mount | Reverse | Infrared | - | - | - | - | - | 60 ° | - | - | - | - | - | - | - | DIP | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.65A/W | 730nm | Si | 2 | 4.5 x 4 x 1.2mm | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
Osram Opto BPW 34 FS R18R 60° Infrared Si Photodiode, Surface Mount DIP Package OSRAM Opto Semiconductors | 9300 | 5: ¥6.3104 | - | 1100nm | 4mm | 1.2mm | 4.5mm | PCB Surface Mount | Reverse | Infrared | - | - | - | - | - | 60 ° | - | - | - | - | - | - | - | DIP | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.59A/W | 780nm | Si | 2 | 4.5 x 4 x 1.2mm | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
 Photodiode PIN Chip 950nm 0.59A/W Sensitivity 2-Pin PDIP SMD Osram Opto 60 ° 红外 硅 光电二极管, 表面安装, DIP 封装 OSRAM Opto Semiconductors | 1440 | 1500: ¥3.01 | - | 950 nm | 4mm | 1.2mm | 4.5mm | Surface Mount | Reverse | 红外 | 950nm | 60 ° | Si | DIP | 2 | - | 20 ns | 0.7A/W | 20 ns | 0.15 W | 0.59 A/W | 30 nA | -40C to 100C | PDIP SMD | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | PIN | - | - | - | - | - | No | 1.3 V | 32 V | 50 uA | Si | 2 | Chip | - |
 | 1500 | 1500: ¥2.3576 | - | 730nm | 4mm | 1.2mm | 4.5mm | 表面安装 | 反向 | 红外 | 880nm | 60 ° | Si | DIP | 2 | - | - | 0.65A/W | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
 | 1100 | 20: ¥3.75 | - | 950nm | 4mm | 1.2mm | 4.5mm | 表面安装 | 阳性 | - | 950nm | ±60° | Si | DIL | 2 | - | 0.02µs | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | 0.02µs |